芯原戴伟民博士回顾FD-SOI发展历史并分享市场前沿技术

  全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，从结构上看， FD-SOI，还能有效地抑制电子从源极流向漏极，从而大幅度降低导致性能直线下降的漏电流。戴伟民博士在分享中也简单提到了FD-SOI的一些特色，比如在衬底上加一个超薄体（Ultra Thin Body SOI）场效应管，采用全介质隔离等。

  同时，戴伟民博士也回顾了过去很多年FD-SOI发展的重要的历史节点，如下图所示，其中主要包括：

  戴伟民博士指出，“过去很多年，我们从始至终在畅想FD-SOI工艺的发展和前景。不过，现在FD-SOI慢慢的变成了当前的主流工艺之一，芯原也去参加了。”

  目前，芯原在FD-SOI方面拥有丰富的解决方案。芯原22nm FD-SOI IP包括模数混合IP、RFIP和接口IP等。其中，模数混合IP包含59种不同方案，包括基础IP、DACIP和接口等，目前已经向40家客户授权260多次FD-SOI IP核，为全球主要客户提供约30个芯片设计项目，25个项目正在生产中。比如，瑞萨RA 32位Cortex-M系列中的首款22nmMCU就采用了芯原的FD-SOI IP。

  同时，戴伟民博士也分享了目前FD-SOI发展的一些前沿进展。此前，欧盟已经决定投资12nm FD-SOI，2022年7月12日，法国总统马克龙、欧盟专员、GlobalFoundries首席执行官托马斯·考尔菲尔德和意法半导体总裁兼首席执行官让-马克·奇瑞共同宣布，意法半导体和GlobalFoundries将在法国建造一座新的12英寸晶圆厂，用于12纳米FD-SOI，以推进FD-SOI生态系统。

  此前，意法半导体与三星联合推出18nm FD-SOI技术。2024年3月19日，意法半导体和三星联合宣布采用18nm FD-SOI技术用于ePCM。

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